Українська
Мова
Deutsch
हिंदी
Русский
한국어
Bahasa Indonesia
Bahasa Melayu
Português (Brasil)
English
Italiano
Français
Español
中文
العربية
Tiếng Việt
ไทย
日本語
Tagalog
پارسی
Polski
Türkçe
Підтвердьте свою адресу електронної пошти щоб отримати доступ до всіх функцій 4shared. Лист-підтвердження було надіслано на $[p1]
Не впевнені щодо поточної електронної адреси? Оновити електронну пошту

Доведіть, що ви не робот
GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET.mp4
lakkoju B. в EDC
6 років тому
більше...
MP4 5,210 KB
Відкрити в...
Переглянути пізніше
До бібліотеки
Скачати
Поділитися
Повідомити
Секс
Насильство
Інше
Коментарі
0
Показати всі коментарі
Більше з цієї папки
Більше з цього списку відтворення
Більше з цього каналу
Більше з цього альбому
Більше з цієї полиці
05:48
GATE 2014 ECE Mass Action Law, semiconductor doped with both donors and acceptor.mp4
05:48
mp4
6,509 KB
lakkoju B. в EDC
6,509 KB
6 років тому
lakkoju B.
11:54
GATE 2012 ECE Gate source overlap capacitance, source body junction capacitance.mp4
11:54
mp4
13,942 KB
lakkoju B. в EDC
13,942 KB
6 років тому
lakkoju B.
05:58
GATE 2013 ECE MOSFET channel length modulation effect.mp4
05:58
mp4
7,797 KB
lakkoju B. в EDC
7,797 KB
6 років тому
lakkoju B.
03:17
GATE 2015 ECE find the value of Channel Length Modulation of NMOS FET.mp4
03:17
mp4
3,879 KB
lakkoju B. в EDC
3,879 KB
6 років тому
lakkoju B.
05:41
GATE 2013 ECE PN junction current flow mechanism.mp4
05:41
mp4
5,896 KB
lakkoju B. в EDC
5,896 KB
6 років тому
lakkoju B.
08:49
GATE 2014 ECE Shallow P well and N well regions in CMOS technology can be formed.mp4
08:49
mp4
9,534 KB
lakkoju B. в EDC
9,534 KB
6 років тому
lakkoju B.
Переглянути всі 60 файлів Переглянути всі 60 треків Переглянути всі 60 відео Переглянути всі 60 зображень Переглянути всі 60 книг
Вам також може сподобатися
08:49
GATE 2014 ECE Shallow P well and N well regions in CMOS technology can be formed.mp4
08:49
mp4
9,534 KB
lakkoju B. в EDC
9,534 KB
lakkoju B.
Опис
GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET - скачати з 4shared. GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET розміщено на безкоштовному сервісі обміну файлами 4shared.
Тип файлу MP4
Розмір 5,210 KB
Перевірено McAfee. Вірусів не виявлено.
Коментарі
Обговорити
0 коментарі
User avatar
Додати новий коментар
Надіслати
Скасувати
500 символів залишилося
Назад
1
…
1
…
Далі
Додати до
Нова папка
Готово
Поділитися
Копіювати посилання
Відкрити цей файл в...
4shared app
Відкрити
Ringtone app
Відкрити
Продовжити в застосунку
Відскануйте QR-код, щоб відкрити файл у застосунку 4shared
GATE 2010 ECE Mobility of electrons in i...
QR-код файлу:
GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET.mp4
20
секунд
Скачування розпочнеться автоматично
Дякуємо за скачування
Ви перевищили ліміт трафіку
GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET.mp4
(5,210 KB)
Якщо скачування не почалося автоматично,
будь ласка, натисніть тут.
Не любите чекати?
4shared 
Умови використання
Конфіденційність
Підтримка
Не продавати мою особисту інформацію
Не ділитися моєю особистою інформацією
Мобільна версія
• Українська
Deutsch
हिंदी
Русский
한국어
Bahasa Indonesia
Bahasa Melayu
Português (Brasil)
English
Italiano
Français
Español
中文
العربية
Tiếng Việt
ไทย
日本語
Tagalog
پارسی
Polski
Türkçe
Ми використовуємо файли cookie. 4shared використовує файли cookie та інші технології відстеження, щоб зрозуміти, звідки приходять наші відвідувачі, і поліпшити Ваш досвід перегляду нашого веб-сайту. Використовуючи наш веб-сайт, ви погоджуєтеся на використання нами файлів cookie та інших технологій відстеження. Змінити мої налаштування
Я погоджуюся