GATE 2010 ECE Mobility of electrons in inversion layer of N channel MOSFET

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GATE 2015 ECE find the value of Channel Length Modulation of NMOS FET.mp4

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GATE 2012 ECE Gate source overlap capacitance, source body junction capacitance.mp4

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GATE 2013 ECE MOSFET channel length modulation effect.mp4

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GATE 2014 ECE Mass Action Law, semiconductor doped with both donors and acceptor.mp4

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GATE 2014 ECE An increse in the Base recombination in BJT increases.mp4

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GATE 2014 ECE slope of intrinsic resistivity and temperature.mp4

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