เจ้าของ
แบบดูได้อย่างเดียว
การอัปโหลดและแก้ไข
สมาชิกอาจดูรายการในโฟลเดอร์นี้ได้อย่างเดียวเท่านั้น
สมาชิกอาจดู เพิ่ม แก้ไขและลบรายการในโฟลเดอร์นี้ได้

EDC

โดย lakkoju B. 417,605 KB • 60 ไฟล์

แจ้งการใช้ในทางที่ผิด
ดาวน์โหลดเป็น Zip
เพิ่มลงในบัญชีผู้ใช้ของฉัน
 
ชื่อ ขนาด เพิ่มวันที่แล้ว เพิ่มใส่บัญชี
GATE 2014 ECE Equillibrium electron and hole concentrations, Mass Action Law.mp4
GATE 2014 ECE Equillibrium electron and hole concentrations, Mass Action Law.mp4
GATE 2014 ECE Hole diffusion constant of semiconductor.mp4
GATE 2014 ECE Hole diffusion constant of semiconductor.mp4
GATE 2014 ECE If the emitter resistance in Common Emitter (CE) amplifier is not .mp4
GATE 2014 ECE If the emitter resistance in Common Emitter (CE) amplifier is not .mp4
GATE 2014 ECE In MOSFET fabrication, the channel length is defined during the pr.mp4
GATE 2014 ECE In MOSFET fabrication, the channel length is defined during the pr.mp4
GATE 2014 ECE Mass Action Law, semiconductor doped with both donors and acceptor.mp4
GATE 2014 ECE Mass Action Law, semiconductor doped with both donors and acceptor.mp4
GATE 2014 ECE Matching input impedance of Common Base (CB) amplifier to impedanc.mp4
GATE 2014 ECE Matching input impedance of Common Base (CB) amplifier to impedanc.mp4
GATE 2014 ECE Operating region of Transistor circuit given.mp4
GATE 2014 ECE Operating region of Transistor circuit given.mp4
GATE 2014 ECE Recombination rate of P type semiconductor is directly proportiona.mp4
GATE 2014 ECE Recombination rate of P type semiconductor is directly proportiona.mp4
GATE 2014 ECE Resistance value of N channel Depletion mode MOSFET in linear regi.mp4
GATE 2014 ECE Resistance value of N channel Depletion mode MOSFET in linear regi.mp4
GATE 2014 ECE Shallow P well and N well regions in CMOS technology can be formed.mp4
GATE 2014 ECE Shallow P well and N well regions in CMOS technology can be formed.mp4
GATE 2014 ECE slope of intrinsic resistivity and temperature.mp4
GATE 2014 ECE slope of intrinsic resistivity and temperature.mp4
GATE 2014 ECE Slope of N channel MOSFET in saturation region.mp4
GATE 2014 ECE Slope of N channel MOSFET in saturation region.mp4
GATE 2014 ECE Transconductance of BJT.mp4
GATE 2014 ECE Transconductance of BJT.mp4
GATE 2014 ECE Value of drain current in the MOSFET circuit shown.mp4
GATE 2014 ECE Value of drain current in the MOSFET circuit shown.mp4
GATE 2014 ECE when MOSFET switches from saturation to linear region.mp4
GATE 2014 ECE when MOSFET switches from saturation to linear region.mp4
GATE 2015 DC analysis of Amplifier using PNP transistor.mp4
GATE 2015 DC analysis of Amplifier using PNP transistor.mp4
GATE 2015 ECE find the value of Channel Length Modulation of NMOS FET.mp4
GATE 2015 ECE find the value of Channel Length Modulation of NMOS FET.mp4
GATE 2015 ECE Conductivity of N type semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Conductivity of N type semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Current in the 4 kohm resistor of given bridge circuit.mp4
GATE 2015 ECE Current in the 4 kohm resistor of given bridge circuit.mp4
GATE 2015 ECE Electric Field profile in the depletion region of PN junciton.mp4
GATE 2015 ECE Electric Field profile in the depletion region of PN junciton.mp4
GATE 2015 ECE Electron Current density of Semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Electron Current density of Semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Generation rate, Minority carrier life time.mp4
GATE 2015 ECE Generation rate, Minority carrier life time.mp4
GATE 2015 ECE If base width in BJT is doubled then.mp4
GATE 2015 ECE If base width in BJT is doubled then.mp4
GATE 2015 ECE Maximum Emitter Current of BJT in foward active region.mp4
GATE 2015 ECE Maximum Emitter Current of BJT in foward active region.mp4
GATE 2015 ECE Output resistance of MOSFET in saturation region.mp4
GATE 2015 ECE Output resistance of MOSFET in saturation region.mp4
GATE 2015 ECE Relation between drain current and varying source voltage.mp4
GATE 2015 ECE Relation between drain current and varying source voltage.mp4
GATE 2015 ECE Resistivity of N Type semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Resistivity of N Type semiconductor.mp4
GATE 2015 ECE Shape of Output for the given sine wave input.mp4
GATE 2015 ECE Shape of Output for the given sine wave input.mp4
GATE 2015 ECE Transit Time of a charge carrier.mp4
GATE 2015 ECE Transit Time of a charge carrier.mp4
GATE 2015 ECE Transition capacitance of PN junction at a given Reverse Bias volt.mp4
GATE 2015 ECE Transition capacitance of PN junction at a given Reverse Bias volt.mp4

ตรวจสอบ 30 video ไฟล์ที่แฟ้ม 4shared ของฉัน EDC

เงื่อนไขการใช้บริการ
ความเป็นส่วนตัว
สนับสนุน
อย่าขายข้อมูลส่วนบุคคลของฉัน
อย่าแบ่งปันข้อมูลส่วนบุคคลของฉัน
เวอร์ชันมือถือ
• ไทย
Deutsch
हिंदी
Русский
한국어
Bahasa Indonesia
Bahasa Melayu
Português (Brasil)
English
Italiano
Français
Español
中文
العربية
Tiếng Việt
Українська
日本語
Tagalog
پارسی
Polski
Türkçe
เราใช้คุกกี้ 4shared ใช้คุกกี้และเทคโนโลยีการติดตามอื่น ๆ เพื่อทำความเข้าใจว่าผู้เยี่ยมชมของเรามาจากที่ใด และเพื่อปรับปรุงประสบการณ์การท่องเว็บของคุณบนเว็บไซต์ของเรา การใช้เว็บไซต์ของเราแสดงว่าคุณยินยอมให้เราใช้คุกกี้และเทคโนโลยีการติดตามอื่น ๆ เปลี่ยนการตั้งค่าของฉัน
ฉันยอมรับ